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시차주사열량계
(DSC)
· Glass transition temperature (유리전이온도, Tg)
· Specific heat capacity (비열, Cp)
· Temperature of fusion (용융점, Tm),
Heat of fusion (용융열, ΔH)
· Latent heat (잠열),
Fraction melted
· Crystallinity, degree of crystallization (결정화도)
·
Temperature of crystallization (결정화 온도, Tc)
· Heat of crystallization (결정화열, ΔH), Cold crystallization (재결정화)
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· Chemical reaction (화학반응),
Curing
(경화), degree of cure (경화도, α), 경화열 (ΔH), post-curing
· Polymorphism (change of crystal modification), mesophase
transition, solid-solid transition
· Evaporation, desorptioon (moisture), vaporization, sublimation
· Thermal decompostion (pyrolysis, depolymerization),
Thermal stability (열안정성)
· Lambda
transition and more
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DSC Temperature range: -65°C ~ 700°C
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Heating rate: 0.001 ~ 200 K/min
- Purge
gas: Air, N2(Nitrogen), O2 (Oxygen) and Argon(Ar)
gas available by static or dynamic flow
- Temperature program: Dynamic, Isothermal,
Iso-Dyn-Iso Multistep and TM DSC (Sinusoidal)
☞ 온도변조DSC(TMDSC),
Sapphire Mehtod Cp
(DIN 51007), 반응속도 (Kintics),
DSC Purity,
산화도입기(OIT),
IsoStep(TM), ASCII
file의 DSC-TGA-TMA-DMA-MS
-FTIR 측정
데이터 evaluation
등 고급분석
가능
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TGA,
TMA, DMA
↓(click
here)
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열중량분석기
(TGA)
RT
~ 1600 °C (TGA/DSC)
·
조성에
따른 질량의 증감 측정
·
Evaporation,
desorptioon (moisture),
vaporization
· Thermal
decompostion (pyrolysis,
depolymerization)
·
Thermal
stability (열안정성)
·
Oxidative
degradation, oxidation
stability (산화안정성)
·
Compositional
analysis (volatiles,
polymer, carbon black,
ash, filler, glass fibers)
·
DTA
application with TGA/DTA,
e.g. Solid-solid transition
·
DSC
application with TGA/DSC,
STA
and more
열기계분석기
(TMA)
-150°C
~ 600 °C (Low Temp.), RT ~ 1100 °C (High
Temp.)
·크기(치수)
변화 (dimensional change)
측정
·Expansion and
shrinkage behavior (팽창
및 수축 거동)
· Expansivity
(Coefficient of linear
expansion)
· Coefficient
of Thermal Expansion
(열팽창 계수, CTE)
·Young's
shear modulus, stiffness
·Polymorphism
(change of crystal modification)
·
Glass
transition (유리전이,
Tg)
· Softening (연화점)
·
Thermal
decompostion (pyrolysis,
depolymerization)
·
Thermal
stability (열안정성)
·
Oxidative
degradation, oxidation
stability (산화안정성)
·
Temperature
of fusion (용융점, Tm)
·
Melting
behavior, fraction melted (용융거동)
·
Cold
crystallization (재결정화)
... more
동적기계분석기
(DMA)
-150°C
~ 500
°C,
0.001
~ 200
Hz,
0.01
~ 20
N
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점탄성적
탄성도 (Viscoelastic
Modulus)측정
- Ageing
(노후 테스트)
- Bending test
(굴곡시험)
- Compliance (J*)
-
Compression test
(압축하중 시험)
-
Correlation
avec chock
- Correlation with acoustic performances
- Correlation with
materials formulation
- Correlation with products performances
-
Creep
behavior, Creep test
- Curing kinetics, Curing time
- Degree of
reticulation
- Dimensional stability
- Dynamic test
- Dynamic viscosity
(h*)
- Fatigue test
- Gel time
- Glass transition temperature
(유리전이온도, Tg)
-
Humidity sensitivity
-
Impact resistance
-
Industrial products
stiffness
- Linear/Non-linear behavior (선형/비선형적 거동)
- Damping, Loss angle (delta),
Loss factor (손실계수,
tan
δ)
- Mechanical properties
(기계적 특성)
- Melting point
(용융점, Tm)
- Morphology of
polymers (고분자 형태학)
- Optimization of curing
process (경화과정의 최적화 검사)
- Penetrometry test
- Polymer compatibility
-
Prediction of long
term mechanical behaviour
- Relationships mechanical properties/molecular
structure
- Relaxation time
- Reticulation follow up
- Rheological
properties
- Secondary transitions
- Shear modulus (G*)
-
Shear
test
- Specimen stiffness
- Stress relaxation test
- Tension test
-
Thermal
properties
- Thermal stability
- UV sensivity
- Viscoelastic properties
- Young Modulus E*
- Storage Modulus (저장탄성율, E', G')
-
Loss
Modulus (손실실탄성율,
E",
G")
...
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TGA,
TMA,
DMA
분석서비스
상세
내역
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· 열분석 및
열물성 분석의
최고를 지향합니다. |
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열전도도 및 열저항 측정기
·
Steady
state Heat Flow Method (ASTM E 1530)
·
Thermal
conductivity (0.1 ~ 20 W/mK)
·
Thermal
resistance (0.0002 ~ 0.1 m2K/W)
-
Polymer resin, Thin film, Composites,
Ceramic, Metal
-
RT (steady state)
-
0.1 ~ 20 W/mK (thermal conductivity)
-
0 ~ 100 psi (load)
- 2 inch (50.8mm)
diameter round specimen
- 0.1mm ~
2.54mm thickness specimen
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열전도도 및 비열, 열확산율측정기
어떤 물질의 전도성(conduction)에 의해 열이 전달 (heat propagation) 되는 속도를 시간에 대한 온도 변화로써 결정하는 열물성으로써 고분자 및 금속, 세라믹, 복합재 료, 유리, 고무, 액체, 분말시료 등의 열전달과정을 이해하는데 매우 유용한 물성치 이며 이를 측정 분석하는 기기
· Laser Flash Method (ASTM E 1461)
- RT ~ 300 °C
- 0.1 ~ 2000 W/mK (thermal conductivity)
- 0.001 to 10 ㎠/s (thermal Diffusivity)
- Specific heat capacity
- 디스플레이 소재의 열적 특성 분석
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PE/EL 분광광도계 (PL/EL Spectrometer)
출사광의 스펙트럼 특성 측정
측정파장범위 : 250~1000nm
파장 분해능 : 0.2nm
step size : 0.05nm
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[C-V] [I-V] 측정장치 (Precision LCR Meter)
2 Channel I-V 측정 장치
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UV/VIS 분광광도계 (UV/VIS Spectrophotometer)
UV/VIS/NIR 영역 (175 nm~3300 nm)에서 필름의 반사율 및 투과율 측정
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OLED 수명측정기 (OELD Lifetime Test System)
OLED의 가장 중요 요소중 하나인 발광 수명의 측정과 변화 추이 관측 가능
- 유기 EL 패널 전기적 특성시험, 다채널 OLED Test Cell 구동 및 수명 시험평가시험 모드에서 다채널 동시 구동 및 전압/전류 측정
- 캘리브레이션된 Si-Photodiode를 이용한 다채널 휘도 동시 측정
- 휘도 감소 하한 또는 전압 증가 상한에 따른 수명 결정
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열화상카메라 (Thermal Image Analyzer)
32배 이상의 전자줌 (digital zoom) 기능 제공, 미커에 대하여 측정 자료를 그래프로 제공, 측정 데이터를 실시간으로 디스크파일 저장, 입력영상에 대하여 영상 캡처 기능 제공, 스냅샷 영상 목록에 대하여 저장 기능 제공
- 온도분포를 칼라영상 (pseudo color) 으로 처리
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분광투과 / 반사율계
반사율, 투과율 측정, Wavelength range : 190~1100nm
- 특정 파장영역의 반사율, 투과율 측정
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스팩트로라이디어미터
암상자에서 OLED소자를 지그에 물려넣고 디지털소스미터, 펄스소스미터로 전압 또는 전류를 인가하여 소자의 발광 특성을 분석 I-V-L 측정용 지그, 수명측정용 지그
- OLED소자의 전류-전압 스펙트럼, 색좌표, 휘도, 전류효율,
외부양자효율, 색온도 등을 측정
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3차원 미세표면형상측정기(3D Nano Surface Profiler)
비접촉식으로 나노미터 사이즈의 3차원 표면형상을 백색광 간섭계를 이용 하여 고정도, 고속으로 측정이 가능한 장비
- 깊 이 최대 180 um 까지
- 면 적 1.28mm ~ 0.64mm
- 측 정 속 도 2 ㎛ /sec ~ 5 ㎛ /sec
- 측정 분해능 0.5 nm (수직 분해능)
- 반복 정밀도 0.5% 이하 (NIST 표준시편 기준)
- TFT-LCD,BLU, PDP, OLED등 평판표시소자의 미세형상 및 거칠기 측정
- 디스플레이 박막의 단차 및 표면 형상 측정 등
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표면저항측정기(4-Point Probe)
반도체의 절연체위에 형성된 금속박막의 저항률을 측정하는데 있어서 가장 널리 사용되는
방법으로 정확한 방법
- 면저항 측정 : 1 mohm/sq ~ 2 Mohm/sq
- 비저항 측정 :
10.0u ohm · cm ~ 200.0 Kohm · cm
- 전류원 범위 : 10nA to 100mA
- 측정오차 : ±0.5
%(23℃실온에서 VLSI Standard Wafer로 측정
- 측정재연성 : ± 0.15% (정밀저항)
- 측정시간 : 약 3
± 1 sec/point
- 실리콘 웨이퍼 또는 금속박막의 면저항, 비저항 측정
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타원편광분석기 (Ellipsometry)
단일파장의 빛을 이용하여 박막의 표면에 입사시켰을 때, 굴절과 반사되는 빛을 검출하여 박막의 두께를 측정
- Bulk Measurement : 굴절률 정확도 ± 0.001
- Refractive Index Only : 굴절률 분해능 ± 0.000
- VAMFO for Thick Film : 두께 측정 범위 12㎛ ~150 ㎛
- 상온, 상압에서 박막의 두께를 비접촉식으로 측정하는 장비
- 박막의 특성분석(두께), 미세구조의 분석,
- 광특성 n,k의 동시 결정, 다양한 응용성
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OLED I-V-L 시스템 (OLED I-V-L System)
암상자에 OLED소자를 지그에 물려넣고, 디지털 소스미터와 펄스소스미터로 전압 또는 전류를 인가하여 cs-1000A, cs-100A로 소자의 발광특성을 분석하기 위해 구성
- I-V-L 측정용 지그, 수명측정용 지그
- 암상자, 디지털 소스미터(Keithley 2400), 펄스소스미터(Keithley 2430)
- 스펙트로 라디오미터(Minolta CS-1000A), 휘도색차계(CS-100A),
- 인터페이스용 PC로 구성
- OLED소자의 전류 : 전압 스펙트럼, 색좌표, 휘도, 전류효율, 외부양자 효율, 색온도 등을 측정
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원자현미경 (Atomic Force Microscopy)
탐침이 시료표면을 가가의 위치로 옮겨 다니면서 원자간의 힘을 측정함으로써, 각 점에서의 높이에 대한 정확한 정보를 얻는 장비
- 최대 시료 크기: 100mmx100mm, 20mm(두께)
- 최대 시료 무게 : 500g - 시료 이송 거리 : 25mmx25mm
- 최대 X,Y 측정 영역 : 50㎛ (low voltage mode : 5㎛)
- 해상도 : <0.15nm(low voltage mode : < 0.02nm)
- 최대 Z 측정 거리 : 12㎛(low voltage mode : 1.7㎛)
- 해상도 : < 0.05nm (low voltage mode : < 0.01nm)
- Z servo 수행 능력 : 최소 10kHz 이상
- 박막의 표면분석, 박막의 표면관찰, 반도체 표면 관측, 국소적 영역의 표면거칠기 측정
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고속카메라 (High Speed Camera)
고속으로 촬영하여 정상적인 속도로 재생하여 피사체의 동작이 매우 느리게 보이도록 하는 장비
- 센서 (sensor) : CMOS array, up to 1280x1024 pixels
- Main Memory : 1 GB
- Playback Rates
- Single step mode plus auto playback at 1, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 25, 30, 50, 60, 125, 250, 500 or 1000 frames
- 렌즈타입 (Mounts)
- Standard C-mount lens mount, ¼-20tripod mount
- 고속촬영한 디지털 데이터를 컴퓨터에서 저속으로 육안으로 확인하며 물리적변화를 관측 분석
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