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Thermal Properties Analyzer

Thermal Conductivity (Lambda), Ash Fusion, Thermal Screening, Microscopic Hot/Cold Stage, Wafer Chuck, Thermal Plate, Thermal Probe Station

Thermal Conductivity Meter by Transient Plane Heat Source 열전도도측정기

본 열전도도측정기는 ISO 22007-2 2008에 따른 다양한 재료의 열전달 특성을 측정하는 데 사용되는 최신의 Transient Plane Heat Source method로써, 열전도도를 빠르고 정확하게 측정하므로 품질관리 뿐만 아니라 제품 생산, 연구개발에 이르기까지 열전도도를 다양하고 재현있게 측정하는 매우 효과적이고 편리한 기기입니다.

  • Transient Plane Heat Source method
  • ISO 22007-2 2008
  • 열전도도측정범위: 0.005 ~ 300 W/mK
  • 측정온도: 상온 ~ 130도

 

측정 재료 

금속, 세라믹, 합금, 고분자, 미네랄, 복합소재, 종이, 직물, foam(표면이 부드러운 단열재 재료 및 플레이트), 미네랄 울, 시멘트 성형물, 강화유리 복합체 플레이트 CRC, cement polystyrene board, 샌드위치 콘크리트, glass - steel panels composite plates, paper honeycomb panels, 겔, 액체, 분말, granular 및 pasty solid.

 

작동원리 

Transient Plane Source Technology(TPS)는 Hot wire method를 기반으로 개발 된 열전도도를 측정하는 새로운 방법이다 (Silas Gustafsson Sweden Chalmer University of Technology ). Transient Plane Source Technology(TPS)는 Hot wire method를 기반으로 개발된 열전도도측정기입니다 (Silas Gustafsson Sweden Chalmer University of Technology ). 열적 특성을 측정하는 원리는 과도 온도 가열 단계 ( transient temperature heating step )의 무한 매체 디스크 모양의 열 생성 응답(infinite medium disc-shaped heat generated response)을 기반으로합니다.

열원 및 온도 센서로 평평한 프로브를 사용하여 형성된 열 저항 재료. 열 저항-온도 합금과 저항 선형 관계 사이의 관계, 즉 저항의 변화를 이해함으로써 열 손실을 알 수 있으며 샘플의 열전도율을 반영합니다. 즉,이 방법의 프로브는 합금 형성을 에칭 한 후 전도성 호일의 연속적인 이중 나선 구조를 사용하는 것이며, 이중 절연 보호 층 두께의 외층이 얇아서 프로브가 일정한 기계적 강도를 가지며 전기 절연체 사이의 샘플.

테스트 중에 프로브는 테스트된 샘플의 중간에 놓여집니다. 프로브를 통과하는 전류, 특정 온도 상승, 샘플 프로브의 양쪽에 동시에 발생하는 열 확산, 열 확산 속도는 재료의 열 전달 특성에 따라 달라집니다. 프로브의 온도 응답 시간을 기록하면 열전도율에서 직접 수학적 모델을 얻을 수 있습니다.

 

특징

  1. Standard: ISO 22007-2 2008.
  2. Direct measurement, 측정에 소요되는 시간은 약 5-160 초이며 사용자 설정이 가능하여 열전도를 빠르고 정확하게 측정하여 많은 시간을 절약 할 수 있습니다.
  3. 접촉 열 저항(thermal contact resistance)의 영향을 받지 않습니다.
  4. 특별한 샘플 전처리를 요치 않고, 특별한 요구 사항이 없는 샘플 모양, 벌크 고체, 상대적으로 매끄러운 표면 만 필요하고 프로브 직경의 최소 2 배의 길이와 너비를 충족 할 수 있습니다.
  5. 샘플에 대한 비파괴 테스트, 샘플을 재사용 할 수 있습니다.
  6. 이중 나선 구조 설계를 사용하는 프로브는 독점 모델과 결합하여 핵심 알고리즘 분석을 사용하여 프로브에서 수집한 데이터입니다.
  7. 샘플 스테이지 설계, 쉬운 작동, 샘플의 다른 두께에 적합합니다.
  8. 고해상도의 칩에서 가져온 데이터 수집을 사용하는 프로브 데이터 수집은 테스트를 보다 정확하고 신뢰할 수있는 결과로 출력할 수 있습니다.
  9. ARM 마이크로 프로세서를 사용하는 호스트 제어 시스템, 속도는 기존 마이크로 프로세서보다 빠르며 처리 용량, 더 정확한 결과를 나타냅니다.
  10. 벌크 고체 재료, 반죽 고체, 입상 고체, 페이스트, 젤, 액체, 분말, 코팅, 박막, 단열재를 측정하는 데 사용할 수 있습니다.
  11. 지능형의 사용자 친화적 휴먼-컴퓨터 인터페이스, 컬러 LCD 디스플레이, 터치 스크린 컨트롤
  12. 강력한 데이터 처리 기능. 데이터 통신 및 보고를 위한 고도로 자동화 된 컴퓨터 처리 시스템.

 

Technical parameters

Measure method 

Transient Plane Heat Source, Unsteady Status

Measurement physical properties

Direct access the thermal conductivity and thermal diffusivity

Test object 

Solid, liquid, powder, paste, colloid, granule

Test Range

0.005 ~ 300 W/(mK)

sample temperature range

Room temperature ~ 130℃

Probe diameter

15 mm

Accuracy

±3%

Repeatability

≤3%

Measuring time

5 ~ 160 seconds 

Power supply & Total power

220VAC ﹤100W

Thermal Conductivity Meter by Transient Plane Heat Source 열전도도측정기 

Principle which measures thermal properties is based on the transient temperature heating step infinite medium disc-shaped heat generated response.
Thermal resistance material formed utilizing a flat probe, both as a heat source and a temperature sensor. Relationship between thermal resistivity-temperature alloys and resistance linear relationship, that is by understanding the change in resistance can know heat loss, reflecting the thermal conductivity of the sample. i.e., the probe of this method is the use of a continuous double helix structure of the conductive foil after etching alloy formation, the outer layer of the double insulating protective layer thickness is thin, so that the probe has a certain mechanical strength and maintain the sample between The electrical insulation.
During testing, the probe is placed in the middle of the sample tested. When the current through the probe, a certain increase in temperature, the heat generated simultaneously to both sides of the sample probe diffusion, thermal diffusion rate depends on the heat transfer characteristics of the material. By recording the temperature response time of the probe, the mathematical model can be obtained directly from the thermal conductivity.


FEATURES
1. Standard: ISO 22007-2 2008.
2. Direct measurement, testing time is about 5-160s, and can be set up, to quickly and accurately measure the coefficient of thermal conductivity, saving a lot of time.
3. Do not suffer the effects of thermal contact resistance.
4. No need special sample preparation, sample shapes without special requirements, bulk solids, only need the relatively smooth surface and satisfies the length and width of at least twice the diameter of probe can be.
5. Non-destructive testing on samples, samples can be reused.
6. The probe using the double-helix structure design, combined with the exclusive model, data collected on the probe using the core algorithm analysis.
7. Sample stage designed, easy operation, suitable for different thickness of the sample.
8. The probe data acquisition using the imported data acquisition on the chip, which is high resolution, can make the tests more accurate and reliable results.
9. Host control system using the ARM microprocessor, speed is faster than traditional microprocessors, improves the processing capacity, more accurate results,
10. It can be used for measuring bulk solids,pasty solid, granular solid, paste, gel, liquid, powders, coatings, thin film, thermal insulation materials.
11. Intelligent freiendly human-computer interface, color LCD display, touch screen controls
12. Powerful data processing capabilities. Highly automated computer processing system for data communication and reporting.


 

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